Auch interessant , was hier zu lesen ist ... (Sparks wird nicht angegeben)
Zitat:
http://de.wikipedia.org/wiki/TransistorDie ersten Patente zum Prinzip des Transistors wurden von Julius Edgar Lilienfeld im Jahr 1925 angemeldet. Lilienfeld beschreibt in seiner Arbeit ein elektronisches Bauelement, das Eigenschaften einer Elektronenröhre aufweist und im weitesten Sinne mit dem heute als Feldeffekttransistor bezeichneten Bauelement vergleichbar ist. Zu seiner Zeit war es technisch noch nicht möglich, Feldeffekttransistoren praktisch zu realisieren.
Im Jahr 1934 konstruierte der deutsche Physiker Oskar Heil den ersten Feldeffekttransistor, der mit heute üblichen Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET) vergleichbar ist. Die ersten praktisch realisierten JFET mit einem p-n-Übergang (positiv-negativ) und einem so genannten Gate als Steuerelektrode gehen auf Herbert F. Mataré, Heinrich Welker und parallel dazu William B. Shockley und Walter H. Brattain aus dem Jahr 1945 zurück. Der Feldeffekttransistor wurde vor dem Bipolartransistor realisiert. Damals wurden diese Bauelemente noch nicht als Transistor bezeichnet; der Begriff „Transistor“ wurde 1948 von John R. Pierce geprägt. ... (aber hier) ...
Zitat:
http://de.wikipedia.org/wiki/Morgan_Sparks 1948 stieß er zur Arbeitsgruppe von William B. Shockley, die den ersten Transistor entwickelt hatte. Sparks entwickelte dort eine Methode, Germanium frei von Verunreinigungen und sehr dünn zu kristallisieren. Dies ermöglichte die Herstellung von Bipolartransistoren, mit denen Transistoren einfach und kostengünstig in elektronischen Schaltungen eingesetzt werden konnten.
